深圳市华科智源科技有限公司,是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业,坐落于改革开放之都-中国深圳,核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产,公司产品主要涉及MOS管直流参数测试仪,MOS管动态参数测试仪,IGBT测试仪,IGBT动态参数测试系统,IGBT静态参数测试仪,功率循环,雪崩及浪涌测试设备,产品以高度集成化、智能化、高速、超宽测试范围等竞争优势,将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等,客户行业涉及轨道交通,地铁,电驱动,新能源汽车,风力发电,变频器,家电等领域;华夏神州,科技兴国,智能创新,源远流长;华科智源公司核心团队由华中科技大学,复旦大学等国内高校研究所、行业应用专家等技术人才组建,致力于中国功率半导体事业,积极响应国家提出的中国制造2025战略,投身于半导体测试设备国产化。
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的IGBT测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块,大功率IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的V-I特性测试,测试12...
产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器,...
华科智源-二极管浪涌电流是指电源线接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。半导体器件在工作时,有时要承受较大的冲击电流,器件的用途不同,要求器件能承受浪涌电流的能力也...
产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器,...
华科智源-二极管浪涌电流是指电源线接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。半导体器件在工作时,有时要承受较大的冲击电流,器件的用途不同,要求器件能承受浪涌电流的能力也...
可测参数: Ciss/Coss/Crss/RgMOS管结电容测试可测器件: IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等 测试频率:1MHz&n...
可测参数: Ciss/Coss/Crss/RgMOS管结电容测试可测器件: IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等 测试频率:1MHz&n...
可测参数: Ciss/Coss/Crss/RgMOS管结电容测试可测器件: IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等 测试频率:1MHz&n...
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的IGBT测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块,大功率IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的V-I特性测试,测试...
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的IGBT测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块,大功率IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的V-I特性测试,测试12...
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的IGBT测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块,大功率IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的V-I特性测试,测试12...
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的IGBT测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块,大功率IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的V-I特性测试,测试12...
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的IGBT测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块,大功率IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的V-I特性测试,测试12...
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